特許
J-GLOBAL ID：200903082315883972

高速回復整流器構造体の装置および方法

発明者：
フランシス,リチャード

フランシス,リチャード について

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ファン,ヤン,ユー

ファン,ヤン,ユー について

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ジョンソン,エリック

ジョンソン,エリック について

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ホアン,ハイ

ホアン,ハイ について


出願人/特許権者：
キュースピード セミコンダクター インコーポレーテッド

キュースピード セミコンダクター インコーポレーテッド について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-548647
公開番号（公開出願番号）：特表2009-521816
出願日： 2006年12月20日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
高速回復整流器構造体の装置および方法。具体的には構造体は第1のドーパントの基板(120)を含む。第1のドーパントが低濃度ドープされた第1のエピタキシャル層(140)が基板に結合されている。第1の金属層(190)が第1のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ(175)が第1のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第2のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層(170)が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第1のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、2つの対応するウェル間の第1のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域(150)の各々は第1のエピタキシャル層より高濃度に第1のドーパントがドープされている。
請求項（抜粋）：
第1のドーパント型がドープされた基板と、 前記基板に結合された前記第1のドーパント型がドープされた第1のエピタキシャル層と、 前記第1のエピタキシャル層に隣接する第1の金属層と、 前記第1のエピタキシャル層内に窪み、各々が前記金属層に結合された複数のトレンチと、 各々互いに離間されるとともに、各々前記複数のトレンチのうちの対応するトレンチの下に当該トレンチに隣接して形成された、各々第2のドーパント型がドープされた複数のウェルと、 対応するウェルが前記対応するトレンチから電気的に絶縁されるように、各々対応するトレンチの壁および底部上に形成された、複数の酸化物層と、 前記第1のエピタキシャル層内に形成された前記第1のドーパント型がドープされ、各々前記複数のウェルからの2つの対応するウェル間に位置するとともに、各々前記第1のエピタキシャル層より高濃度に前記第1のドーパント型にドープされた複数のチャネル領域と を備える整流装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (1件)：
H01L29/48 F
Fターム (14件)：
4M104BB01 ,  4M104BB03 ,  4M104BB06 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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