特許
J-GLOBAL ID：200903093025567890
酸化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
青山 葆
, 河宮 治
, 山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013814
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228318
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】発光ダイオードや半導体レーザ素子に適用することができ、発光特性と信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】Li1-(x+y)NaxKyAl1-zGazO2(0≦x、y、z≦1、0≦x+y≦1)で表される組成を有する酸化物基板を用い、I族元素またはIII族元素の組成を変化させることによって、基板の格子定数を制御する。これにより、酸化物半導体発光素子のエピタキシャル層中の結晶欠陥および歪を低減する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化物基板上に、少なくとも、n型ZnO系半導体クラッド層、ZnO系半導体活性層、およびp型ZnO系半導体クラッド層が形成され、ここに、該酸化物基板がLi1-(x+y)NaxKyAl1-zGazO2(0≦x、y、z≦1、0≦x+y≦1)で表される組成を有する酸化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F041AA40
, 5F041CA23
, 5F041CA41
, 5F041CA46
, 5F103AA10
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH04
, 5F103HH08
, 5F103LL02
, 5F103LL03
, 5F103RR06
