洗浄液およびその洗浄液を用いた洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092636
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハなどの基板表面に付着している微小異物を確実に除去するとともに、洗浄液中に存在する微小異物を逆に半導体ウェハなどの基板表面に付着させないで洗浄効果の優れた洗浄液および洗浄方法を提供する。【解決手段】フッ酸と、アンモニア水と、過酸化水素水と、水との混合液またはバッファードフッ酸と、過酸化水素水と、水との混合液からなる。pHは4〜5であることが好ましく、たとえば前記混合液は50wt%のフッ酸と29wt%のアンモニア水と、31wt%の過酸化水素水と、水とが体積比で実質的に1:1:2:300〜500の割合で混合されている。

請求項（抜粋）：

フッ酸と、アンモニア水と、過酸化水素水と、水との混合液からなる洗浄液。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-283845 出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
半導体部材および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016745 出願人：キヤノン株式会社
シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203023 出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

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