特許
J-GLOBAL ID:200903082350470494
プラズマ処理装置、プラズマ生成導入部材及び誘電体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤元 亮輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-085264
公開番号(公開出願番号):特開2001-274149
出願日: 2000年03月24日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、被処理体への所定のプラズマ処理速度を確保しつつ不純物の混入を防止することによって高品質のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置、プラズマ導入部材及び誘電体を提供することを例示的目的とする。【解決手段】 被処理体にプラズマ処理を行う処理室と、プラズマ処理に必要なマイクロ波を案内するスロット電極との間に配置可能で比誘電率ε<SB>t</SB>と厚さHを有し、厚さHは誘電板内のマイクロ波の波長λを用いて0.5λ<H<0.75λ、好ましくは、0.6λ≦H≦0.7λを満足し、波長λは真空中のマイクロ波の波長λ<SB>0</SB>と誘電板の波長短縮率n=1/(ε<SB>t</SB>)<SP>1/2</SP>とを用いてλ=λ<SB>0</SB>nを満足する。
請求項(抜粋):
被処理体にプラズマ処理を行う処理室と、前記プラズマ処理に必要なマイクロ波を案内するスロット電極との間に配置可能で比誘電率ε<SB>t</SB>と厚さHを有する誘電板であって、前記誘電板の前記厚さHは、前記誘電板内の前記マイクロ波の波長λを用いて0.5λ<H<0.75λを満足し、前記マイクロ波の前記波長λは、真空中の前記マイクロ波の波長λ<SB>0</SB>と前記誘電板の波長短縮率n=1/(ε<SB>t</SB>)<SP>1/2</SP>とを用いてλ=λ<SB>0</SB>nを満足する誘電板。
IPC (5件):
H01L 21/31
, B01J 19/08
, C23C 16/511
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (6件):
H01L 21/31 C
, B01J 19/08 H
, C23C 16/511
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
Fターム (68件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA02
, 4G075CA26
, 4G075CA47
, 4G075CA65
, 4G075DA01
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075FC15
, 4K030AA06
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030FA02
, 4K030GA02
, 4K030KA23
, 4K030KA30
, 4K030KA41
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BC02
, 5F004BC06
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA05
, 5F004DA06
, 5F004DA11
, 5F004DA12
, 5F004DA18
, 5F004DA20
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA29
, 5F045AA09
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC17
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AE17
, 5F045AF07
, 5F045BB14
, 5F045CB01
, 5F045DC55
, 5F045DP03
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F045EB02
, 5F045EH01
, 5F045EH03
, 5F045EJ02
, 5F045EJ09
, 5F045EK01
, 5F045EN04
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
プラズマ処理方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-036521
出願人:株式会社日立製作所
-
プラズマ処理装置およびスパッタ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-270187
出願人:株式会社フロンテック, 大見忠弘, アルプス電気株式会社
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-339519
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-225048
出願人:株式会社フロンテック, 大見忠弘
-
半導体製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-348662
出願人:大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
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審査官引用 (5件)
-
プラズマ処理方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-036521
出願人:株式会社日立製作所
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-339519
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
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プラズマ処理装置およびスパッタ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-270187
出願人:株式会社フロンテック, 大見忠弘, アルプス電気株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-225048
出願人:株式会社フロンテック, 大見忠弘
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半導体製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-348662
出願人:大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
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