特許
J-GLOBAL ID：200903000569849883
半導体製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348662
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168090
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【解決手段】 本発明は、成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Xeを含むガスを用いて行うことを特徴とする。【課題】 本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。
請求項（抜粋）：
成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Xeを含むガスを用いて行う半導体製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
, H01L 21/28
, H01L 21/3213
, H01L 29/78
H01L 21/302 F
, H01L 21/205
, H01L 21/28 F
, H01L 21/88 D
, H01L 29/78 301 F
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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