特許
J-GLOBAL ID:200903082364025434

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山崎 輝緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-049511
公開番号(公開出願番号):特開2008-218460
出願日: 2007年02月28日
公開日(公表日): 2008年09月18日
要約:
【課題】 本発明は、簡単な構成により、色ムラ及び輝度ムラが低減されるようにした半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 チップ実装部16a及び電極部17aを構成する導電部材16,17を備えた基板11と、この基板上にてチップ実装部に実装された半導体発光素子チップ12と、この基板上にて半導体発光素子チップを包囲するように形成されたリフレクタ13と、このリフレクタ内に分散配置された蛍光体及び光拡散材と、を含んでいる半導体発光装置10であって、上記半導体発光素子チップが、その上面からのみ光を出射すると共に、上記蛍光体14aを含む第一の光透過性樹脂14が、半導体発光素子チップの上面のみに塗布されるように、半導体発光装置10を構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
チップ実装部及び電極部を構成する導電部材を備えた基板と、この基板上にてチップ実装部に実装された半導体発光素子チップと、この基板上にて半導体発光素子チップを包囲するように形成されたリフレクタと、このリフレクタ内に分散配置された蛍光体及び光拡散材と、を含んでいる半導体発光装置であって、 上記半導体発光素子チップが、その上面からのみ光を出射すると共に、 上記蛍光体を含む第一の光透過性樹脂が、半導体発光素子チップの上面のみに塗布されていることを特徴とする、半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (13件):
5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041AA14 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA44 ,  5F041DA76 ,  5F041DA78 ,  5F041DA82 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (8件)
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