特許

J-GLOBAL ID：200903082367256372

不揮発性半導体記録装置およびその製造方法

発明者： 浅山 豪 ,  野本 和正
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036871
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247581
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】MONOS型やMNOS型などの不揮発性半導体記録装置において、経時での記録保持特性を向上する。【解決手段】積層構造のゲート絶縁膜を基板側から順次、SiO2の第1絶縁層21、SiNの第2絶縁層22、SiNの第3絶縁層23とする。そして、第3絶縁層23の水素結合密度は第2絶縁層22より小さくする。主に電荷蓄積手段として機能する第2絶縁層の水素原子が拡散することを防止できるため、経時での記録保持特性が向上する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板のチャネル形成領域の上に位置し電荷を捕獲して蓄積する電荷蓄積手段を有する積層構造のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の両側端部の前記基板に形成されソースおよびドレインとして機能するソースドレイン領域と、を具備する不揮発性半導体記録装置であって、 前記積層構造のゲート絶縁膜は、 第1絶縁層と、 前記第1絶縁層の上に位置するシリコン窒化膜の第2絶縁層と、 前記第2絶縁層の上に位置するシリコン窒化膜の第3絶縁層と、 を有し、 前記第3絶縁層のシリコン窒化膜の水素結合密度が前記第2絶縁層のシリコン窒化膜の水素結合密度よりも低い 不揮発性半導体記録装置。

IPC (5件)：

H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (3件)：

H01L29/78 371 ,  H01L21/318 B ,  H01L27/10 434

Fターム (32件)：

5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F101BA46 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BF02 ,  5F101BH02 ,  5F101BH05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100264   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-060770
  
• 半導体装置、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-002975   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-079123   出願人：ソニー株式会社