特許
J-GLOBAL ID：200903082449596287

光電変換素子の製造方法、光電変換素子、固体撮像素子

発明者：
横山 大輔

横山 大輔 について

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前原 佳紀

前原 佳紀 について

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後藤 崇

後藤 崇 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355183
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166539
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】暗電流の少ない光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に下部電極101を形成する下部電極形成工程と、下部電極101上に有機光電変換層102を形成する有機光電変換層形成工程と、有機光電変換層102上に金属酸化体からなる正孔ブロッキング層103を形成する正孔ブロッキング層形成工程と、正孔ブロッキング層103上に上部電極104を形成する上部電極形成工程とを備え、ブロッキング層形成工程は、有機光電変換層102上に金属材料を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された金属材料を酸化する酸化工程とからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機光電変換層と、前記上部電極から前記有機光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する前記有機光電変換層と前記上部電極との間に形成されたブロッキング層とを含む光電変換素子の製造方法であって、 前記上部電極が光入射側の電極であり、 基板上に前記下部電極を形成する下部電極形成工程と、 前記下部電極上に前記有機光電変換層を形成する有機光電変換層形成工程と、 前記有機光電変換層上に金属酸化体からなる前記ブロッキング層を形成するブロッキング層形成工程と、 前記ブロッキング層上に前記上部電極を形成する上部電極形成工程とを備え、 前記ブロッキング層形成工程は、前記有機光電変換層上に金属材料を成膜する成膜工程と、前記成膜工程で成膜された前記金属材料を酸化する酸化工程とからなる光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 H ,  H01L27/14 E
Fターム (28件)：
4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118FB23 ,  4M118FB25 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049QA20 ,  5F049SE04 ,  5F049SE09 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ10 ,  5F049SZ20 ,  5F049UA14 ,  5F049WA09
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (3件)

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