特許
J-GLOBAL ID：200903082496450797
接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梁瀬 右司
, 振角 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-348812
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294800
出願日： 2004年12月01日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 被接合物同士の接合面をプラズマにて親水化処理して低温で固層接合する方法において、従来の大気中でハンドリングして接合する方法では、大気中の有機物が付着して接合強度が落ちることから、結局1100°Cという高温で拡散接合せざるを得ないため、本発明では低温での強固な接合を可能にする。【解決手段】 被接合物同士の接合面をプラズマにて親水化処理して接合する方法において、両被接合物を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波により物理処理する物理処理工程の後、大気に暴露することなくプラズマにて親水化処理する化学処理工程を行い、両被接合物を接合することにより、有機物などの付着物なく良好な接合が可能となり、500°C以下の低温での強固な接合が可能となる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
被接合物同士の接合面をプラズマにて親水化処理して500°C以内で固層で接合する接合方法において、
両被接合物を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるイオン衝突力の強いエネルギー波により物理処理する物理処理工程の後、イオン衝突力の弱いプラズマにて化学処理する化学処理工程を行い、両被接合物を接合する接合方法。
IPC (3件)：
H01L21/02
, H01L21/304
, H01L27/12
H01L21/02 B
, H01L21/304 645B
, H01L21/304 645C
, H01L27/12 B
出願人引用 (7件)
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特開昭54-124853号公報
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実装方法および装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-122244
出願人：東レエンジニアリング株式会社
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貼り合わせSOIウェーハの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-291847
出願人：コマツ電子金属株式会社
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審査官引用 (6件)
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