特許
J-GLOBAL ID:200903082498776720
内部の水分レベルを制御するための半導体処理装置および方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-306348
公開番号(公開出願番号):特開2002-184767
出願日: 2001年10月02日
公開日(公表日): 2002年06月28日
要約:
【要約】【課題】 プロセスガスとして存在する水蒸気のレベルの正確で高速なモニターおよび制御を可能にする半導体処理装置および方法を提供する。【解決手段】 新規の半導体処理装置が提供される。本装置は、半導体基板を、水蒸気を含む1または複数種のプロセスガスを用いて処理するためのプロセスチャンバーと、水蒸気または水蒸気の1もしくは複数種の前駆物質をプロセスチャンバーへ送出する手段と、プロセスチャンバーに接続された排気管と、サンプル領域において水蒸気を検出するための吸収分光装置と、プロセスチャンバー内部の水蒸気含有量を制御するための制御装置とを備える。また、半導体プロセスチャンバー内部の水蒸気レベルを制御するための方法が提供される。本装置および方法によって、水蒸気がプロセスガスとして存在する半導体処理チャンバー内部の水蒸気レベルを測定および制御することが可能になる。
請求項(抜粋):
半導体基板を、水蒸気を含む1または複数種のプロセスガスを用いて処理するためのプロセスチャンバーと、水蒸気、または水蒸気の1もしくは複数種の前駆物質を、プロセスチャンバーへ送出するための手段と、プロセスチャンバーに接続された排気管と、サンプル領域において水蒸気を検出するための吸収分光装置と、吸収分光測定装置からの信号に応答して、制御信号を水蒸気またはその前駆物質の送出手段へ送るコントローラーを備えた、プロセスチャンバー内部の水蒸気含有量を制御する制御装置とを備えることを特徴とする半導体処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, G01N 21/35
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/31
FI (5件):
G01N 21/35 A
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/31 E
, H01L 21/302 E
Fターム (20件):
2G059AA05
, 2G059BB01
, 2G059CC09
, 2G059DD04
, 2G059DD16
, 2G059EE01
, 2G059GG01
, 2G059HH01
, 2G059HH06
, 2G059KK01
, 2G059KK02
, 4M104BB04
, 4M104DD43
, 5F004BB03
, 5F004BC03
, 5F004BD04
, 5F004CB02
, 5F004DA00
, 5F045AA20
, 5F045GB07
引用特許: