特許
J-GLOBAL ID：200903082580764543

半導体装置の製造方法

発明者：
小林 保男

小林 保男 について

, 
西澤 賢一

西澤 賢一 について

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亀嶋 隆季

亀嶋 隆季 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-112932
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302811
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 フッ素添加カーボン(CF)膜上にハードマスク用の薄膜である例えばSiCO膜又はSiO2膜を成膜するにあたり、SiCO膜又はSiO2膜を成膜するときに用いられる酸素ガスの活性種がフッ素添加カーボン膜の奥深くまで侵入することを抑え、後工程におけるフッ素添加カーボン膜からの脱ガス量を低減すること。【解決手段】 半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばSiCO膜を成膜する。窒化処理により得られるCFN膜により、SiCO成膜時の酸素の活性種が奥深く侵入することが抑えられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を成膜する工程と、 次いで、前記基板の表面を、窒素ガスをプラズマ化して得たプラズマに曝して、前記フッ素添加カーボン膜の表面部を窒化する工程と、 しかる後、前記基板の表面を珪素及び酸素の活性種を含むプラズマに曝して、珪素及び酸素を含むハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/90 A
Fターム (28件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX12 ,  5F058BA06 ,  5F058BC07 ,  5F058BD09 ,  5F058BF07 ,  5F058BF74 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16
引用特許：
出願人引用 (5件)
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