特許
J-GLOBAL ID：200903076432907343
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320912
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144676
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 フッ素添加カーボン膜(以下「CF膜」という)を用いた層間絶縁膜の実用化を図るためにCF膜の工程を可能にすること。【解決手段】 CF膜4の上に導電膜例えばTiN膜41を形成し、その上にレジスト膜42のパターンを形成した後、例えばBCl3 ガスによりTiN膜41をエッチングする。その後O2 プラズマをウエハ表面に照射すると、CF膜を化学エッチングすると共にレジスト膜42もエッチングするが、TiN膜41がマスクの役割を果たすため、予定のホールを形成することができる。CF膜4の表面にはアルミニウムなどによって配線が形成されるが、TiN膜41は配線とCF膜4との密着層の役割を果たし、また配線の一部となる。マスクとしては導電膜の代りにSiO2 などの絶縁膜を用いてもよい。
請求項（抜粋）：
フッソ添加カ-ボン膜よりなる絶縁膜を被処理体上に成膜する工程と、次いで前記絶縁膜上にレジスト膜によりパターンを形成する工程と、その後酸素プラズマによりフッソ添加カ-ボン膜をエッチングしながらレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/314
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/768
H01L 21/314 A
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 H
, H01L 21/90 K
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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