特許
J-GLOBAL ID：200903082641856276

高速原子層堆積装置及び使用方法

発明者：
エリック・ジェイ・ストラング

エリック・ジェイ・ストラング について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-184930
公開番号（公開出願番号）：特開2006-009152
出願日： 2005年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】高速原子層堆積装置及び使用方法【解決手段】処理チャンバ(100)と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ(120)と、前記処理チャンバ(100)に、第1のプロセスガス及び第2のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置(140)とを含む、原子層堆積(ALD)を実行する処理システム(100)。前記ガス注入装置(140)は、前記第1のプロセスガス及び第2のプロセスガスを、前記処理チャンバ(100)の第1の位置及び第2の位置から導入するように構成されており、前記第1のプロセスガス及び第2のプロセスガスの少なくとも一方は、前記第1の位置と第2の位置とから、交互にかつ連続に導入される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に膜を堆積する原子層堆積システムであって、 処理チャンバと、 前記処理チャンバに組み合わされ、かつ前記基板を支持するように構成された基板ホルダと、 前記処理チャンバに組み合わされ、かつ前記処理チャンバ内を排気するように構成された排気装置と、 前記処理チャンバに組み合わされ、かつ前記処理チャンバ内にプラズマを生成するように構成されたプラズマ源と、 前記処理チャンバに組み合わされ、かつ第1のプロセスガス及び第2のプロセスガスを、前記処理チャンバの第1の位置及び第2の位置から導入するように構成されたガス注入装置と、 前記原子層堆積システムに結合され、前記第1のプロセスガス及び前記第2のプロセスガスのうちの少なくとも一方が、前記第1の位置と前記第2の位置とから、交互にかつ連続して導入されるように、前記ガス注入装置を制御するように構成されたコントローラとを具備する原子層堆積システム。
IPC (3件)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C
Fターム (50件)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA06 ,  4K030BA08 ,  4K030BA10 ,  4K030BA12 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA20 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB14 ,  5F045AB31 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045BB08 ,  5F045EE17
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM