ALD薄膜蒸着装置及び蒸着方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189559
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069651
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】高品質な薄膜を効率的に形成するALD薄膜蒸着装置を提供する。【解決手段】蒸着装置は、ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器100と、第1反応ガスを反応容器に供給するための第1反応ガス供給部210と、第2反応ガスを反応容器に供給するための第2反応ガス供給部230と、第1反応ガス供給部と反応容器とを連結する第1反応ガス供給ライン220と、第2反応ガス供給部と反応容器とを連結する第2反応ガス供給ライン240と、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを第1反応ガス供給ラインに供給する第1不活性ガス供給ライン260と、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを第2反応ガス供給ラインに供給する第2不活性ガス供給ライン270と、反応容器内のガスを外部に排出するための排気ライン400とを含む。

請求項（抜粋）：

ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器と、第1反応ガスを前記反応容器に供給するための第1反応ガス供給部と、第2反応ガスを前記反応容器に供給するための第2反応ガス供給部と、前記第1反応ガス供給部と前記反応容器とを連結する第1反応ガス供給ラインと、前記第2反応ガス供給部と前記反応容器とを連結する第2反応ガス供給ラインと、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを前記第1反応ガス供給ラインに供給する第1不活性ガス供給ラインと、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを前記第2反応ガス供給ラインに供給する第2不活性ガス供給ラインと、前記反応容器内のガスを外部に排出するための排気ラインとを含むことを特徴とするALD薄膜蒸着装置。

IPC (3件)：

C23C 16/455 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/455 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R

Fターム (26件)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030HA15 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030KA11 , 4K030KA41 , 4M104BB14 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH13

引用特許：

出願人引用 (12件)

特開平2-230722
特開平4-162418
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-202082 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (11件)

化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-275664 出願人：三星電子株式会社
特開平4-162418
特開平2-230722

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