プラズマCVD法による堆積膜形成方法、及びプラズマ発生用高周波電極と該電極で構成したプラズマCVD装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-352082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164520
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】大面積の基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で安定に、効率よく形成することのできるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】プラズマ発生用高周波電極の高周波電力給電点の反対側を、LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)を介して接地すると共に、その高周波電力給電点側にも高圧可変コンデンサ(B)を設置し、前記LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)の容量及び前記高周波電力給電点側の高圧可変コンデンサ(B)の容量をそれぞれ可変させて、該両コンデンサの容量の総和量と略等しい容量(k)を可変的に制御して、前記プラズマ発生用高周波電極に供給される高周波の位相を変化させることにより、プラズマ電位を均一化して堆積膜を形成するようにする。

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、および前記反応容器内に配された基体保持手段、該反応容器内の反応後のガスを排気する排気手段、および高周波電源より高周波電力を供給しプラズマを生成するための棒状若しくは板状の導電性のプラズマ発生用高周波電極を有し、前記高周波電源で発生させた高周波電力を前記プラズマ発生用高周波電極に供給し、前記基体保持手段により保持される基体と前記プラズマ発生用高周波電極との間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜形成方法において、前記プラズマ発生用高周波電極の高周波電力給電点の反対側を、LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)を介して接地すると共に、その高周波電力給電点側にも高圧可変コンデンサ(B)を設置し、前記LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)の容量及び前記高周波電力給電点側の高圧可変コンデンサ(B)の容量をそれぞれ可変させて、該両コンデンサの容量の総和量と略等しい容量(k)を可変的に制御して、前記プラズマ発生用高周波電極に供給される高周波の位相を変化させることにより、プラズマ電位を均一化して堆積膜を形成するようにしたことを特徴とするプラズマCVD法による堆積膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/509 , G03G 5/08 360 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 D , G03G 5/08 360 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M

Fターム (41件)：

2H068AA54 , 2H068AA55 , 2H068DA71 , 2H068EA24 , 2H068EA30 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA06 , 4K030CA16 , 4K030CA17 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030GA06 , 4K030GA14 , 4K030JA18 , 4K030JA19 , 4K030KA08 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 4K030KA47 , 4K030KA49 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AE15 , 5F045AF10 , 5F045BB01 , 5F045CA16 , 5F045DA65 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH14 , 5F045EH15

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭58-145100
プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-125770 出願人：キヤノン株式会社
堆積膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-320687 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る