相変化物質研磨用化学機械研磨スラリー組成物およびこれを用いた相変化物質の研磨方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-169052
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016829
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】相変化メモリ素子の相変化物質に対する研磨速度の向上と研磨停止膜に対する高い選択比、ディッシングやエロージョンなどの欠陥の最小化を可能とする相変化物質研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】相変化物質研磨用化学機械研磨スラリー組成物は、超純水および鉄イオンまたは鉄キレート錯体を含み、特に鉄イオンまたはキレート錯体はスラリー組成物の全質量に対し0.001〜10質量%含まれ、かつpHは2〜10である。このスラリー組成物によると、相変化メモリ素子の相変化物質に対する研磨速度を向上させ、相変化メモリ素子とシリコン酸化膜などの研磨停止膜に対する高い研磨選択比を達成すると共に、ディッシングやエロージョン等の欠陥を最小化し、高品質の研磨表面を提供できる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

超純水、および鉄イオンまたは鉄キレート錯体を含むことを特徴とする、相変化物質研磨用化学機械研磨スラリー組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (4件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 621D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第5209816号明細書
米国特許第5340370号明細書
米国特許第5980775号明細書

審査官引用 (3件)

研磨液
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-182544 出願人：富士フイルム株式会社
基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-164322 出願人：花王株式会社
半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-194216 出願人：松下電器産業株式会社

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