アクティブマトリクス液晶表示素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-301220
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160451
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】開口率の低下を伴うことなく光漏れを防止したアクティブマトリクス液晶表示素子。【構成】任意の画素電極15に接続した薄膜トランジスタ36のゲート電極の周部に、そのゲート電極の接続していない走査電極線G(i-1)から延出した遮光導電体40の端部が位置し、薄膜トランジスタと画素電極の間の間隙と、遮光導電体の一部とが重なっていることを特徴とする。【効果】バックライトからの光は遮光性の遮光導電体により遮られ、液晶表示素子を透過することがなく、ブラックマスクを形成せずとも、薄膜トランジスタの周部の間隙における光漏れが防止され、コントラストが改善される。

請求項（抜粋）：

格子状に配線された複数の走査電極線および信号電極線と、それら走査電極線と信号電極線とで区画された部分に形成された透光性の画素電極と、走査電極線および信号電極線と画素電極とを接続した薄膜トランジスタとが形成された第1の基板と、前記画素電極に対向した対向電極が形成され、前記第1の基板と離間して配置される第2の基板と、前記第1の基板と第2の基板の間に介在する液晶とを有し、任意の画素電極に接続した薄膜トランジスタのゲート電極の周部に、そのゲート電極の接続していない走査電極線から延出した遮光導電体の端部が位置し、薄膜トランジスタと画素電極の間の間隙と、前記遮光導電体の一部とが重なっていることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示素子。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭64-072121
特開平4-233516
特開昭61-003118

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