特許
J-GLOBAL ID：200903082904573665
プラズマ処理装置及び処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179235
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019508
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】半導体デバイスの微細化、複雑構造に伴った多様な処理に対応し、プラズマ励起高周波の電磁界分布及びプラズマ発生分布を制御して均一処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】下部電極10にウエハ5を載置し上部電極20にプラズマ励起用の高周波電源30からの出力を印加しプラズマ3を生成し処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極20のプラズマ3に対向する面を伝播するプラズマ励起高周波に対するインピーダンスを変える手段として、例えば2箇所以上の溝40を設け溝内部には誘電体部材41を有し、溝40の形状及び誘電体部材41の誘電率によってインピーダンス値を操作する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理体を載置する第1の電極とプラズマ生成用の第2の電極を設け、前記第2の電極に高周波電源又はマイクロ波電源から出力された電磁波を給電してプラズマを生成し、前記被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、
前記第2の電極の表面を伝播する前記電磁波による表面波に対してインピーダンスを変える構造とするために、電極の表面を前記表面波の電流と交差する方向に少なくとも2箇所以上に分割する溝構造を前記第2の電極の表面に設け、分割された電極表面を容量結合したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065
, B01J19/08
, C23C16/509
, H05H1/46
H01L21/302 101B
, B01J19/08 E
, C23C16/509
, H05H1/46 B
, H05H1/46 M
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA24
, 4G075CA26
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075FA01
, 4G075FA08
, 4G075FC15
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030JA18
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BA20
, 5F004BB28
, 5F004BB29
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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