特許
J-GLOBAL ID：200903082926038976

微細構造体の配列方法及び微細構造体を配列した基板、並びに集積回路装置及び表示素子

発明者：
柴田 晃秀

柴田 晃秀 について

, 
若園 恭伸

若園 恭伸 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

, 
ナノシス・インコーポレイテッド

ナノシス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-102848
公開番号（公開出願番号）：特開2008-260073
出願日： 2007年04月10日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】ナノ構造体のような微細構造体を高度に配列するため、微細構造体を所望の場所に、所望の方向に配列するための方法を実現することを目的とする。【解決手段】それぞれ独立した電位を与えうる3つの電極を形成した絶縁基板を用意する基板準備工程と、上記絶縁基板上に微細構造体を含んだ液体を塗布する微細構造体塗布工程と、上記3つの電極にそれぞれ電圧を印加して、上記微細構造体を上記電極により規定される位置に配列させる微細構造体配列工程を含む。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
それぞれ独立した電位が与えられる3つの電極を単位とする微細構造体配列領域を1乃至複数形成した絶縁基板を用意する基板準備工程と、 上記絶縁基板上にナノオーダからミクロンオーダーの微細構造体を含んだ液体を塗布する微細構造体塗布工程と、 上記3つの電極にそれぞれ電圧を印加して上記微細構造体を上記電極により規定される位置に配列させる微細構造体配列工程と を含むことを特徴とする微細構造体の配列方法。
IPC (6件)：
B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  H01J 31/12 ,  H01J 9/02 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01J31/12 C ,  H01J9/02 B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B
Fターム (42件)：
5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C127AA01 ,  5C127BA15 ,  5C127DD19 ,  5C127DD28 ,  5C127DD52 ,  5C127DD70 ,  5C127EE02 ,  5C127EE15 ,  5C127EE20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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