特許
J-GLOBAL ID：200903082926443315
X線吸収マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211287
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064524
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【課題】 内部応力を最少に抑えたX線吸収マスクを製造する方法を提供する。【解決手段】 X線吸収マスクの製造方法は、表面(16)と背面(18)とを有するシリコン基板(10)を用意する段階を含む。表面(16)上にメンブレーン層(12)を形成する。本発明の一実施例では、メンブレーン層(12)上に、エッチ・ストップ層(14)およびX線吸収層(20)を連続的に形成する。好適実施例では、X線吸収層(20)は、RFスパッタ付着法によって、シリコン基板(10)を覆う層上に直接付着された窒化タンタル・シリコンである。次に、X線吸収層(20)内の内部応力を低減するのに十分な温度で、この構造をアニールする。最後に、X線吸収層をパターニングし、メンブレーン層(12)上にマスキング・パターン(30)を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の製造に用いるためのX線吸収マスクの製造方法であって:表面(16)と背面(18)とを有するシリコン基板(10)を用意する段階;前記表面(16)上にメンブレーン層(12)を形成する段階;前記メンブレーン層を覆うようにX線吸収層(20)を形成する段階であって、HfまたはRe,FeW合金、TaFe合金、ならびに耐熱金属、シリコンおよび窒素からなる材料の少なくとも1つを含む材料からなる群から選択されるアモルファス材料で前記X線吸収層(20)を 形成する段階;前記X線吸収層(20)をアニールし、その中の内部応力を低減する段階;および前記X線吸収層をパターニングし、マスキング・パターン(30)を規定する段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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