Al合金薄膜配線の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214777
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078412
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】この発明は、Al合金薄膜中におけるSiの凝縮を抑えることによって、Al合金薄膜をエッチングした後にエッチング残渣の発生を抑制する。【構成】シリコン基板11表面上にシリコン酸化膜12を形成し、シリコン酸化膜12上に第1のTi薄膜13を成膜し、Ti薄膜13上に第1の窒化チタン薄膜14を成膜する。窒化チタン薄膜14上にAl-1.0%Si-0.5%CuからなるAl合金膜15を成膜した後、Al合金膜15の表面から自然酸化膜を除去する。次に、Al合金膜15上に第2のTi薄膜16を成膜し、Ti薄膜16上に第2の窒化チタン薄膜17を成膜する。次に、シリコン基板11には温度が450 °C、時間が3分間の第2の熱処理を施す。次に、窒化チタン薄膜17上にフォトレジスト18を形成し、フォトレジスト18をマスクとして、窒化チタン薄膜17及びTi薄膜16をエッチングし、Al合金膜15をマグネトロンRIEにより加工する。従って、エッチング残渣の発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に少なくともSiを含むAl合金薄膜を形成する工程と、前記Al合金薄膜の上に金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜及び前記Al合金薄膜を600°C以下の温度で熱処理する工程と、前記金属薄膜の上にマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をマスクとして前記金属薄膜及び前記Al合金薄膜をエッチングする工程と、を具備することを特徴とするAl合金薄膜配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-096261 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-018930
特開平4-273162

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