特許
J-GLOBAL ID：200903082971664934

パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

発明者：
新堀 博

新堀 博 について

, 
菅田 祥樹

菅田 祥樹 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397569
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195527
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる被覆形成剤およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆し、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、(a)水溶性ポリマーと、(b)その構造中に少なくとも1個の窒素原子を有する水溶性架橋剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
ホトレジストパターンを有する基板上に被覆し、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、(a)水溶性ポリマーと、(b)その構造中に少なくとも1個の窒素原子を有する水溶性架橋剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。
IPC (2件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570
Fターム (10件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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