特許

J-GLOBAL ID：200903083020359658

パターン形成方法及び半導体装置の製造装置

発明者： 入江 重夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015971
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 EUV光をレジスト膜に照射して得られたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なったときに、被エッチング膜に形成されるパターンの壁面にラフネスが現われないようにする。【解決手段】 1.0×10-5Pa程度の真空中において、半導体基板10を加熱してレジスト膜11をプリベークして、レジスト膜11に含まれる溶媒を揮散させると共にレジスト膜11からCO2 ガスなどのガスを放出させる。次に、1.0×10-6Pa程度の真空中において、反射型マスク13により反射されたEUV光14を反射縮小光学系15により縮小してレジスト膜11に照射させてパターン露光を行なった後、大気中において、レジスト膜11を現像して、レジスト膜11の未露光部11bからなるレジストパターン16を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜をプリベークするプリベーク工程と、プリベークされた前記レジスト膜に極端紫外光をフォトマスクを介して照射してパターン露光を行なう露光工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程とを備えたパターン形成方法において、前記プリベーク工程及び前記露光工程は、前記レジスト膜を大気中に曝すことなく真空中において行なわれることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/38 512

FI (8件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 570

Fターム (40件)：

2H025AA00 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA14 ,  2H025FA19 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096CA12 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA27 ,  2H096FA04 ,  2H096GA02 ,  2H096GA36 ,  2H097BA02 ,  2H097BA06 ,  2H097CA13 ,  2H097HA02 ,  2H097HA03 ,  2H097HB02 ,  2H097HB03 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  5F046AA17 ,  5F046BA05 ,  5F046CA07 ,  5F046GA03 ,  5F046GA16 ,  5F046GB01 ,  5F046GD10 ,  5F046KA04 ,  5F046LB01

引用特許：

審査官引用 (6件)

• デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195728   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• レジストパターン形成方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-070386   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社ソルテック
• パターン描画装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-299506   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-021522
  
• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-063705   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開2047-083157