特許
J-GLOBAL ID：200903083058039614
レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-039763
公開番号（公開出願番号）：特開平11-223944
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 感度、解像度、レジスト剥離性、基板とのレジスト密着性、耐エッチング性あるいは耐メッキ性に優れ、レジストパターンを短時間、かつ高い歩留まりで行うことができるレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 酸価が95〜250mgKOH/gで、重量平均分子量が5000〜200000のベースポリマー(A)、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレートを50重量%以上含むエチレン性不飽和化合物(B)、自己解裂型開始剤(C)を含有してなる感光性樹脂組成物(I)層を金属基板表面に形成して、露光、現像し、現像終了後に活性光線を照射するレジストパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
酸価が95〜250mgKOH/gで、重量平均分子量が5000〜200000のベースポリマー(A)、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレートを50重量%以上含むエチレン性不飽和化合物(B)、自己解裂型開始剤(C)を含有してなる感光性樹脂組成物(I)層を金属基板表面に形成して、露光、現像し、現像終了後に活性光線を照射することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/027 502
, G03F 7/004 512
, G03F 7/031
, G03F 7/40
, H05K 3/06
, H05K 3/18
G03F 7/027 502
, G03F 7/004 512
, G03F 7/031
, G03F 7/40
, H05K 3/06 H
, H05K 3/18 D
