高純度標準粒子作製装置及び高純度標準粒子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蔵合正博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037736
公開番号（公開出願番号）：特開2002-239377
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】【課題】広い材料選択性を持って、単分散した均一構造を有するnmサイズの高純度標準粒子を汚染・ダメージを軽減した状態で効率的に作製しうる、高純度標準粒子作製装置並びに高純度標準粒子を提供すること。【解決手段】低圧希ガス雰囲気下で半導体ターゲットをパルスレーザー光109で励起し、アブレーション反応によってターゲットの脱離・射出を行い、さらに空中で凝縮・成長させて高純度粒子を生成する粒子生成室101と、高純度粒子を分級する粒子分級室102と、高純度標準粒子を基板上に捕集する粒子捕集室103を用いて構成される高純度標準粒子作製装置である。

請求項（抜粋）：

高純度粒子を雰囲気ガス中におけるレーザーアブレーションにより生成する粒子生成室と、前記粒子生成室で生成された高純度粒子から所望の粒径を有する高純度標準粒子を分級する粒子分級室と、高純度標準粒子を捕集する粒子捕集室と、を具備したことを特徴とする高純度標準粒子作製装置。

IPC (5件)：

B01J 19/12 , B03C 7/02 , B22F 9/02 , C23C 14/00 , H01L 21/203

FI (6件)：

B01J 19/12 H , B01J 19/12 B , B03C 7/02 Z , B22F 9/02 Z , C23C 14/00 A , H01L 21/203 Z

Fターム (21件)：

4D054GA02 , 4G075AA27 , 4G075CA36 , 4G075CA65 , 4G075DA01 , 4G075EB01 , 4G075EB34 , 4K017BB08 , 4K017CA08 , 4K017DA09 , 4K017EF05 , 4K017FA01 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K029GA01 , 5F103AA10 , 5F103BB23 , 5F103DD28 , 5F103GG10 , 5F103RR04 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (5件)

超微粒子生成堆積装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-087865 出願人：松下技研株式会社, 工業技術院長
イオン化微粒子発生方法およびイオン化微粒子発生器ならびにそれを使用した標準微粒子製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-123427 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
特許第3697499号

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