特許
J-GLOBAL ID：200903083093485236

シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法

発明者：
多和田 裕子

多和田 裕子 について

, 
山本 憲治

山本 憲治 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057056
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252504
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】開放端電圧を低下させることなく増大した短絡電流密度を有するシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】基板(11)上に、光反射性金属層(121)および透明導電性酸化物層(122)を含む裏面電極(12)と、裏面電極(12)上に形成された一導電型層(131)、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット(13)と、光電変換ユニット(13)上に形成された前面透明電極(14)とを備える。透明導電性酸化物層(122)は、ホウ素がドープされて微細な表面テクスチャ構造を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に、光反射性金属層および透明導電性酸化物層を含む裏面電極と、前記裏面電極上に形成された、一導電型層、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層および逆導電型層を含むシリコン系薄膜光電変換ユニットと、前記光電変換ユニット上に形成された前面透明電極とを備え、前記透明導電性酸化物層は、ホウ素がドープされて微細な表面テクスチャ構造を有することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M
Fターム (15件)：
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA08 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051FA30
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 薄膜光電変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242126   出願人：鐘淵化学工業株式会社
  • 光起電力素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242705   出願人：キヤノン株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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