光起電力素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242705
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144944
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は、光閉じ込め効果により、光電変換効率を向上させつつ、製造工程における歩留まり、および耐候性、耐久性等の信頼性を向上させた光起電力素子を提供することにある。【解決手段】基板101と半導体層103乃至105との間に位置する透明導電層102の、半導体層と接する面の断面形状が、少なくとも40nmから400nmの範囲でフラクタル次元Dが1.01≦D≦1.20の範囲であるフラクタル形状を有することを特徴とする光起電力素子。

請求項（抜粋）：

基板と半導体層との間に位置する透明導電層の、半導体層と接する面の断面形状が、少なくとも40nmから400nmの範囲でフラクタル次元Dが1.01≦D≦1.20の範囲であるフラクタル形状を有することを特徴とする光起電力素子。

引用特許：

審査官引用 (10件)

太陽電池の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-343017 出願人：キヤノン株式会社
光起電力素子及び発電システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332063 出願人：キヤノン株式会社
光起電力素子及び発電システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-349638 出願人：キヤノン株式会社

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