特許
J-GLOBAL ID：200903083106311313

半導体装置

発明者：
井戸 康弘

井戸 康弘 について

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岩本 猛

岩本 猛 について

, 
豊田 類

豊田 類 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010647
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208635
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 銅ヒューズ切断時に照射されるレーザによって、銅ヒューズの下部にあるシリコン基板へ与えるダメージの少ないヒューズの構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 銅ヒューズ層の上部に銅配線層よりも光吸収率の高い材質の光吸収層を設けることにより、光吸収層に吸収された光が熱伝導により光吸収層の下にある銅配線層へ伝えられ、さらにその下にあるバリアメタル層へと伝えられるため、従来から広く使われている赤外領域波長レーザを用いた場合でも、銅ヒューズの切断を可能とすることができる。さらに、ヒューズ層の下にガード層を有する構造を用いることにより可視領域波長レーザの照射時に問題となるシリコン基板へのダメージを抑制することができるため、銅に対する光吸収率の高い可視領域波長レーザを用いても銅ヒューズを切断することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜上に形成された第二絶縁膜とを備えた半導体装置であって、前記第一絶縁膜は、銅配線層を含むヒューズ層を該第一絶縁膜上の一部に有し、前記第二絶縁膜は、前記ヒューズ層の上に、複素誘電率の実数項の絶対値が前記銅配線層の複素誘電率の実数項の絶対値より小さく、かつ複素誘電率の虚数項の値が前記銅配線層の複素誘電率の虚数項の値より大きい光吸収層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 481
FI (5件)：
H01L 21/82 F ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/04 V ,  H01L 27/04 M
Fターム (19件)：
5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM29 ,  5F033QQ53 ,  5F033VV00 ,  5F033VV11 ,  5F033XX36 ,  5F038DT18 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF32 ,  5F064FF42 ,  5F083ZA10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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