半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119307
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306911
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】一旦形成した配線を変更することのできる半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、同一層内での分離された配線を容易に接続する事のできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】同一層内で互いに近接配置され、かつ電気的に分離された一対の配線と、一対の配線と同一層内で一対の配線に近接配置された導電体のパターンとを有する配線構造を備えた半導体装置構造を準備する工程と、導電体パターンに導電体を溶融、蒸発させるのに十分な強度の光を照射し、導電体を溶融、蒸発させ、堆積した飛散物によって一対の配線を短絡する工程とを有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

同一層内で互いに近接配置され、かつ電気的に分離された一対の配線と、前記一対の配線と同一層内で前記一対の配線に近接配置された導電体のパターンとを有する配線構造を備えた半導体装置構造を準備する工程と、前記導電体パターンに導電体を溶融、蒸発させるのに十分な強度の光を照射し、導電体を溶融、蒸発させ、堆積した飛散物によって前記一対の配線を短絡する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/88 A , H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

微細配線の修正方法および修正装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-334117 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-090528
配線切断方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-230918 出願人：株式会社日立製作所

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