特許
J-GLOBAL ID：200903083127433800
フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-286185
公開番号（公開出願番号）：特開2007-094250
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】190〜300nmの短波長域(特に200nm近傍)における遮光膜の表面反射率を十分に低減させ、短波長化の傾向にある露光光源に対しても良好なパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板上にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、遮光膜は、該遮光膜の上層部に少なくとも炭素を含む反射率調整部が形成されてなり、反射率調整部は、クロムを含むターゲットを用い、少なくとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で、190〜300nmの波長域における表面反射率が20%未満となるように、スパッタリング成膜により形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、
前記遮光膜は、該遮光膜の上層部に少なくとも炭素を含む反射率調整部が形成されてなり、
前記反射率調整部は、クロムを含むターゲットを用い、少なくとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で、190〜300nmの波長域における表面反射率が20%未満となるように、スパッタリング成膜により形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC08
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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