特許
J-GLOBAL ID：200903064070248976
フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-220562
公開番号（公開出願番号）：特開2006-146151
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。【解決手段】 光学的に透明な基板11の一方主面に形成されたハーフトーン位相シフト膜などの光学膜15上に遮光性膜12が設けられており、この遮光性膜12が第1の遮光性膜13と第2の遮光性膜14を順次積層させて構成されている。第1の遮光性膜13はフッ素系のドライエッチング(F系ドライエッチング)では実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。さらに、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属(例えば、モリブデン(Mo))の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明な基板上に設けられた光学膜上に、第1遮光性膜と第2遮光性膜とが順次積層された遮光性膜を備えたフォトマスクブランクであって、
前記第1遮光性膜は、フッ素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされないクロム(Cr)を主成分とする層を含み、
前記第2遮光性膜はフッ素系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする層を含む、ことを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, C23C 14/06
, H01L 21/027
G03F1/08 K
, C23C14/06 A
, C23C14/06 K
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BC05
, 2H095BC11
, 4K029BA07
, 4K029BA41
, 4K029BA43
, 4K029BA55
, 4K029BA58
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029EA01
, 4K029EA05
, 4K029EA08
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
