特許
J-GLOBAL ID:200903001690537623

フォトマスクブランクス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-353044
公開番号(公開出願番号):特開2002-156743
出願日: 2000年11月20日
公開日(公表日): 2002年05月31日
要約:
【要約】【解決手段】 透明基板上に少なくとも一層の遮光膜と少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォトマスクブランクスにおいて、上記遮光膜がフッ素を含まないクロム系膜、上記反射防止膜がフッ素原子を含み且つSi原子を含むクロム系膜とを組み合わせた複合膜から形成されてなることを特徴とするフォトマスクブランクス。【効果】 本発明によれば、露光光248nm以下でも低い反射率を有する高品質なフォトマスクブランクスを得ることができる。
請求項(抜粋):
透明基板上に少なくとも一層の遮光膜と少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォトマスクブランクスにおいて、上記遮光膜がフッ素を含まないクロム系膜、上記反射防止膜がフッ素原子を含み且つSi原子を含むクロム系膜とを組み合わせた複合膜から形成されてなることを特徴とするフォトマスクブランクス。
IPC (4件):
G03F 1/14 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  G03F 1/08
FI (4件):
G03F 1/14 F ,  C23C 14/14 G ,  C23C 14/34 M ,  G03F 1/08 G
Fターム (11件):
2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC14 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029HA02
引用特許:
審査官引用 (9件)
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