特許

J-GLOBAL ID：200903083142872291

記憶素子及びメモリ

発明者： 細見 政功 ,  鹿野 博司 ,  肥後 豊 ,  別所 和宏 ,  山元 哲也 ,  大森 広之 ,  山根 一陽 ,  大石 雄紀 ,  山岸 肇
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222046
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180487
出願日： 2006年08月16日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】情報を安定して保持することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられて積層膜が形成され、積層方向に電流を流すことにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われ、記憶素子を構成する積層膜のうち、少なくとも記憶層において、平面パターン31の長軸LXの端部の曲率半径Rが、R≦100nmを満足する記憶素子を構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられて積層膜が形成され、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶素子を構成する前記積層膜のうち、少なくとも前記記憶層において、平面パターンの長軸の端部の曲率半径Rが、 R≦100nmを満足する ことを特徴とする記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L29/82 Z

Fターム (39件)：

4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD27 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  4M119JJ12 ,  5F092AA01 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092CA07 ,  5F092CA14 ,  5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

審査官引用 (3件)

• 防食性に優れた塗装鋼材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141817   出願人：川崎製鉄株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387331   出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-361340   出願人：株式会社東芝