特許
J-GLOBAL ID：200903055831991083
磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361340
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163330
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 層間のクロストークによる誤動作を解消しつつ高集積化が可能でしかも安価な超大容量の固体磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 第1の磁気抵抗効果素子(C2)と、その上に延設された第1の配線(W1)と、その上に設けられた第2の磁気抵抗効果素子(C1)と、その上において前記第1の配線と交差する方向に延設された第2の配線(B1)と、を備え、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子は略同一の磁化異方性を有する磁気記録層を有し、これら磁気記録層の磁化方向の少なくとも一部は前記第1及び第2の配線の少なくともいずれかに対して平行でも垂直でもない方向に傾斜してなる磁気メモリを提供する。
請求項（抜粋）：
第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子の上に延設された第1の配線と、前記第1の配線の上に設けられた第2の磁気抵抗効果素子と、前記第2の磁気抵抗効果素子の上において前記第1の配線と交差する方向に延設された第2の配線と、を備え、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子は略同一方向の磁化異方性を有する磁気記録層を有し、前記第1及び第2の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記第2の磁気抵抗効果素子の前記磁気記録層の磁化が反転可能とされ、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子の前記磁気記録層の磁化方向の少なくとも一部は前記第1及び第2の配線の少なくともいずれかに対して傾斜してなることを特徴とする磁気メモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA03
, 5F083PR03
, 5F083PR04
, 5F083PR22
, 5F083PR40
