半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123092
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064819
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】結晶性が良好で、しかもその結晶成長方向を制御した珪素膜を得る。またその珪素膜を用いて半導体装置を構成する。【解決手段】ガラス基板上に形成された非晶質珪素膜に対して選択的に結晶化を助長する金属元素(例えばニッケル元素)を導入する。そして加熱処理を施すことにより、前記金属元素が導入された領域から基板に平行な方向に結晶成長を行わす。この結晶成長は〔111)軸方向に行われる。この〔111〕軸方向は、他の方向に比較して低い導電率を有している。そしてこの結晶成長方向をキャリアが移動するようにデバイスを構成することで、高い電気特性を有するデバイスを得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた結晶性を有する非単結晶珪素半導体膜を用いた半導体装置であって、前記結晶性を有する非単結晶珪素半導体膜は、前記基板表面に概略平行な方向に針状または柱状に成長した結晶を含み、結晶成長面は概略(111)面であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196807 出願人：富士ゼロツクス株式会社
特開平3-290924

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