特許
J-GLOBAL ID：200903083232983246
半導体ウエハの突起電極形成用めっき浴およびめっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032568
公開番号（公開出願番号）：特開平11-229174
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハの突起電極を電気めっきにより形成する際にレジスト開口部に残存または発生する気泡により不良な突起電極が形成されるのを防止するためのめっき浴を提供する。【解決手段】 通常の半導体ウエハの突起電極形成用めっき浴に気泡除去剤を添加することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
気泡除去剤を含有することを特徴とする半導体ウエハの突起電極形成用めっき浴。
IPC (5件)：
C25D 3/02
, C25D 3/30
, C25D 3/34
, C25D 3/60
, C25D 7/12
C25D 3/02
, C25D 3/30
, C25D 3/34
, C25D 3/60
, C25D 7/12
