CMOS方式のイメージセンサーとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-265759
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114887
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】クロストークの発生が抑制できるイメージセンサーを提供する。【解決手段】本発明は、エピタキシャル層が成長される基板と、エピタキシャル層に埋め込まれる複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードの間に形成されてフォトダイオードを絶縁させるための複数のフィールド酸化膜と、を含み、各フィールド酸化膜は、エピタキシャル層に形成されるトレンチと、該トレンチの内側面に蒸着される第1の酸化層と、該第1の酸化層に蒸着されて入射される光をフォトダイオードの側面に反射させるための反射層と、該反射層の上に形成される第2の酸化膜と、を含んでなることを特徴とするCMOS方式のイメージセンサーを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

イメージセンサーであって、エピタキシャル層が成長される基板と、前記エピタキシャル層に埋め込まれる複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの間に形成されて前記フォトダイオードを絶縁させるための複数のフィールド酸化膜と、を含み、

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335 , H01L 27/14

FI (4件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 U , H01L27/14 D

Fターム (22件)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118EA15 , 4M118EA16 , 4M118FA06 , 4M118FA27 , 4M118FA33 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD15 , 5C024AX01 , 5C024BX01 , 5C024CX03 , 5C024CX11 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GX07 , 5C024GY31

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-145845
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-029148 出願人：ソニー株式会社
CMOSイメージセンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-016573 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

全件表示

前のページに戻る