特許
J-GLOBAL ID：200903083239084484
X線露光用マスクの製造方法およびX線露光用マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340483
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 X線吸収体を低応力化して高精度なX線露光用マスクを提供できるようにする。【解決手段】 Si基板3の表・裏面にSiCなどからなるメンブレン材料膜2を成膜する(a)。超音波加工法などを用いて、メンブレン領域(X線マスク体形成領域)のSi基板3を残板厚が0.1〜1.0mmとなるように除去する(b)。スパッタ法によりX線吸収体1を成膜する(c)。その後、メンブレン領域のSi基板3の残板部を除去する。Si基板3を支持枠4に貼り付けた後、X線吸収体1をパターニングする。
請求項（抜粋）：
(1)基板上にメンブレン材料膜を形成する工程と、(2)前記メンブレン材料膜上にX線吸収体を成膜する工程と、(3)X線吸収体パターン形成領域であるメンブレン領域下の基板を除去して前記メンブレン材料膜をメンブレン化する工程と、を有するX線露光用マスクの製造方法において、前記第(2)の工程に先立って前記メンブレン領域での基板は裏面側より薄板化処理が施されて板厚が1.0mm以下に薄板化されることを特徴とするX線露光用マスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB16
, 2H095BB27
, 2H095BC08
, 2H095BC24
, 2H095BC27
, 2H095BC28
, 5F046GD02
, 5F046GD05
, 5F046GD15
