特許

J-GLOBAL ID：200903083304700627

面発光レーザ装置

発明者： 伊賀 健一 ,  西山 伸彦 ,  小山 二三夫
出願人/特許権者： 東京工業大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261094
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 外部に出射する光を散乱させることなく静電容量を低減する、静電容量低減層を設けることにより、面発光レーザ装置を高速動作可能にする。【解決手段】 半導体基板上2に、GaAs層およびGa0.7 Al0.3 As層を交互に積層したn型の第1多層膜反射鏡3と、活性層4と、GaAs層およびGa0.7 Al0.3 As層を交互に積層したp型の第2多層膜反射鏡7とを積層し、第2多層膜反射鏡7と活性層4との間に、AlAs層の活性層4から遠い方の接合面5aの所定領域を酸化させて成る電流狭窄層5を設けるとともに、電流挟窄層5と第2多層膜反射鏡7との間に、複数層のGaAlAs層を電流狭窄層5よりも酸化領域が狭くなるように選択的に酸化させて成る静電容量低減層6を設け、活性層4で発光した光が静電容量低減層6を構成するGaAlAs層の酸化領域および非酸化領域の境界面で散乱しないようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、2種類の薄膜を交互に積層した第1多層膜反射鏡と、活性層と、2種類の薄膜を交互に積層した第2多層膜反射鏡とを順次形成して成る面発光レーザ装置であって、前記第1および第2多層膜反射鏡の一方を第1導電型反射鏡とするとともに他方を第2導電型反射鏡とし、前記第1および第2多層膜反射鏡の少なくとも一方と前記活性層との間に、半導体層の前記活性層から遠い方の接合面の所定領域を酸化させて成る電流狭窄層を設けるとともに、前記電流挟窄層と該電流挟窄層が設けられている多層膜反射鏡との間に、複数層の半導体層を前記電流狭窄層よりも酸化領域が狭くなるように選択的に酸化させて成る静電容量低減層を設けたことを特徴とする面発光レーザ装置。

Fターム (5件)：

5F073AA51 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073DA27 ,  5F073EA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 埋め込み型面発光レーザ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-270815   出願人：日本電信電話株式会社