特許
J-GLOBAL ID：200903068486202555
埋め込み型面発光レーザ及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270815
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112086
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 素子のばらつきが小さく、制御性、再現性に優れ、かつ、低閾値電流で高出力、かつ単一横モードの高性能な面発光レーザを提供するにある。【解決手段】 裏面にn-電極8を有するn型GaAs基板1と、該GaAs基板1の上面がn型の場合にはn型のAlGaAs多層膜からなる第lの半導体多層膜分布反射鏡2と、該第lの半導体多層膜分布反射鏡の上部に形成されたGaAs量子井戸とAlGaAs障壁層からなる活性層を含むスペーサ層3と、該スペーサ層3の上部がn型の場合にはp型のAlGaAs多層膜からなる第2の半導体多層膜分布反射鏡と、該第2の半導体多層膜分布反射鏡の上部がn型の場合にはp型GaAsコンタクト層と、該コンタクト層の上部がn型の場合にはp-電極からなる基本構造を有するAlGaAs面発光レーザにおいて、n型ドーパントによりキャリアを補償した高抵抗のp型AlGaAsからなる埋め込み層5を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
裏面にn電極を有するn型GaAs基板又は裏面にp電極を有するp型GaAs基板上に、該基板がn型の場合にはn型のAlGaAs多層膜、該基板がp型の場合にはp型のAlGaAs多層膜からなる第lの半導体多層膜分布反射鏡と、該第lの半導体多層膜分布反射鏡の上部に形成されたGaAs量子井戸とAlGaAs障壁層からなる活性層を含むスペーサ層と、前記基板がn型の場合にはp型のAlGaAs多層膜、前記基板がp型の場合にはn型のAlGaAs多層膜からなる第2の半導体多層膜分布反射鏡と、前記基板がn型の場合にはp型GaAsコンタクト層、前記基板がp型の場合にはn型のGaAsコンタクト層と、前記基板がn型の場合にはp電極、前記基板がp型の場合にはn電極とを順に積層させた基本構造を有するAlGaAs面発光レーザにおいて、n型ドーパントによりキャリアを補償した高抵抗のp型AlGaAsからなる埋め込み層を有することを特徴とする埋め込み型面発光レーザ。
引用特許：
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