特許
J-GLOBAL ID：200903083325907264

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214786
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 ニッケルを利用した結晶性珪素膜を作製において、結晶化後にニッケル元素の除去を行う。【解決手段】 ニッケルを利用して得られた結晶性珪素膜上にマスク106を設け、P(リン)のドーピングを107と109の領域に対して行う。その後、ハロゲン元素を含有した雰囲気中での加熱処理を行う。この際、ニッケル元素は108の領域から107と109の領域に移動する。そしてニッケル元素が除去された108の領域を利用して薄膜トランジスタを作製する。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜の一部をマスクし、他部に不純物元素のイオンを加速注入する工程と、酸素を含有した雰囲気中で加熱処理し前記結晶性珪素膜中に存在する珪素の結晶化を助長する金属元素を移動させる工程と、前記マスクされた領域を利用して半導体装置の活性層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Q ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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