特許
J-GLOBAL ID：200903062048490299
積層層間絶縁膜構造を利用した配線構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107862
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303880
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】低誘電率膜を用いた多層配線構造において、配線の歩留まり向上と信頼性を向上させる。【解決手段】下層Cu配線上に第1の絶縁膜710aを備え、該第1の絶縁膜上に下層配線起因の段差を有しない平坦な第2の絶縁膜711aを備え、該第2の絶縁膜上に形成し、第2の絶縁膜の厚みよりも大きい厚みを有する第3の絶縁膜713aとから成る。第3の絶縁膜の上に第4の絶縁膜714aが設けられ、第4の絶縁膜を貫通して前記第3の絶縁膜内部にまで達する溝を備え、下層配線とビアホールとの接続はバリアメタル層を介することなく接続される。本発明により、低誘電率の絶縁材料を用いたデュアルダマシン配線構造が容易に形成できるようになり、量産製造に十分に適用できるようになる。そして、微細構造、高い性能、高い信頼性を有する多層配線構造の製造が容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜に形成される多層配線の構造において、下層導電材料と直接接する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられ、下層配線の凹凸に依存しない平坦な第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられる低誘電率の応力緩和層である第3の絶縁膜とから形成されるビア絶縁膜に形成されたビアホールと、第3の絶縁膜上に形成された第4の絶縁膜を貫通して前記第3の絶縁膜内部にまで達する配線溝が形成され、該配線溝と該ビアホールとに導電材料が埋めこまれていることを特徴とする配線構造。
Fターム (59件)：
5F033HH03
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ03
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ34
, 5F033KK03
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK14
, 5F033KK15
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM10
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN05
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033QQ02
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR05
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR23
, 5F033RR24
, 5F033RR29
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033TT03
, 5F033TT04
, 5F033XX01
, 5F033XX15
, 5F033XX24
, 5F033XX28
