記憶素子および記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司 , 長谷部政男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-206328
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043873
出願日： 2007年08月08日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】抵抗変化型の記憶装置において、書込みおよび消去状態の抵抗値の保持能力を向上させる。【解決手段】下部電極1と上部電極4との間に、高抵抗層2およびイオン化層3からなる記憶層5を有する。イオン化層3は、S(硫黄),Se(セレン)およびTe(テルル)(カルコゲナイド元素)などのイオン伝導材料(陰イオン元素)と共に、陽イオン化する金属元素としてZr(ジルコニウム)およびAl(アルミニウム)を含有している。当量比=(陽イオンの価数×モル数)/(陰イオンの価数×モル数)で表される当量比が、0.5〜1.5の範囲内であり、これにより書込みおよび消去状態の保持特性が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と第2電極との間にイオン化層を含む記憶層を有し、前記記憶層の電気的特性の変化により情報を記憶する記憶素子であって、前記イオン化層に、S(硫黄),Se(セレン)およびTe(テルル)のうちの少なくとも1種からなるカルコゲナイド元素と共に、前記カルコゲナイド元素に対して陽イオン化する金属元素を含み、前記金属元素の含有量が、陰イオンであるカルコゲナイド元素に対し、 (陽イオンの価数×モル数)=(陰イオンの価数×モル数) のときに当量関係が成り立つとした場合に、当量比=(陽イオンの価数×モル数)/(陰イオンの価数×モル数) で表される当量比が、0.5〜1.5の範囲内であることを特徴とする記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA21 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (1件)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ

審査官引用 (4件)

記憶素子及びその製造方法、記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-006349 出願人：ソニー株式会社
記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-214603 出願人：ソニー株式会社
記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-192262 出願人：ソニー株式会社

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