特許

J-GLOBAL ID：200903083408370246

AlN単結晶膜の形成方法

発明者： 柴田 智彦 ,  角谷 茂明
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-193652
公開番号（公開出願番号）：特開2008-019140
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成する方法を提供する。【解決手段】C面サファイア単結晶基板の主面上に金属Al膜を蒸着させたAl膜付きサファイア基板を、Alに対する窒化能(窒化作用)を有する窒素元素含有ガス雰囲気の下で、少なくとも1400°C以上に、好ましくは1500°C以上に加熱する。これにより、サファイア基板の主面上に、表面平坦性の良好なC面AlN単結晶膜を反応生成させることができる。さらに、上記の窒化処理を酸化物結晶の存在下で行うと、より表面平坦性の優れたC面AlN単結晶膜を反応生成させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板上にAlN単結晶膜を形成する方法であって、 Alに対する窒化能を有する窒素元素含有ガスの雰囲気の下で、金属Al膜が主面の上に形成されたサファイア単結晶基板を1300°C以上の加熱温度で加熱することによって、前記主面の上にAlN単結晶膜を形成させる、 ことを特徴とするAlN単結晶膜の形成方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  C30B 11/12 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 C ,  H01L21/20 ,  C30B11/12 ,  H01L21/205

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CC06 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F045HA21 ,  5F152LL08 ,  5F152LN04 ,  5F152LN21 ,  5F152MM18 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-068361   出願人：財団法人理工学振興会
• 薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265415   出願人：日本電気株式会社