特許

J-GLOBAL ID：200903033819976725

薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 裕之 ,  笠原 健資 ,  中山 達峰 ,  大野 泰夫 ,  羽山 信幸 ,  宮本 広信 ,  松永 高治 ,  安藤 裕二 ,  葛原 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265415
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075991
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、境界面準位及び保護膜内部の準位を減少させた保護膜を効率良く形成することにより、信頼性を向上させ、かつ、生産コスト及び生産リードタイムを改善可能な薄膜の形成方法,半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 先ず、基板1上にアルミニウム薄膜4を形成し、窒素中でアニールを行なうことにより、アルミニウム薄膜4を窒化し、窒化アルミニウムの保護膜を形成する。そして、電極形成部分に開口部2bを形成し、半導体装置の電極2aを形成する。

請求項（抜粋）：

物質の表面上にアルミニウムを含む金属薄膜を形成し、当該金属薄膜を窒素雰囲気中でアニールすることにより、窒化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/90 L ,  H01L 21/90 P

Fターム (23件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104DD33 ,  4M104DD99 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR05 ,  5F033SS26 ,  5F033XX00 ,  5F058BB05 ,  5F058BC09 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 反射防止膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-241426   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-186838
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-347634   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-005011   出願人：松下電子工業株式会社