特許
J-GLOBAL ID：200903083445978440

短時間でイレーズ動作を行う不揮発性メモリ

発明者：
黒崎 一秀

黒崎 一秀 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023807
公開番号（公開出願番号）：特開2001-216787
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】複数のセクタをイレーズする場合のイレーズ処理時間を短くすることができる不揮発性メモリを提供する。【解決手段】フラッシュメモリにおいて、複数のセクタをイレーズする場合、イレーズ対象のあるセクタに通常のイレーズ処理している間に、他のイレーズ対象セクタにプリイレーズ処理を行うことにより、当該他のイレーズ対象セクタには、昇圧電圧を利用する通常のイレーズ処理ほど強いイレーズストレスをかけることはできないが、それより弱いイレーズストレスをかけることができる。従って、当該他のイレーズ対象セクタは、完全ではないがイレーズ処理が行われ、その後に行われる通常のイレーズ処理の時間を短くすることができる。
請求項（抜粋）：
電気的に書き換え可能な不揮発性メモリにおいて、複数のメモリセルをそれぞれ有する複数のセクタと、複数のセクタをイレーズする場合、第1のイレーズ対象セクタには前記メモリセルに第1のイレーズストレスを印加するイレーズ処理を行い、それと同時に、第2のイレーズ対象セクタには前記メモリセルに前記第1のイレーズストレスより弱い第2のイレーズストレスを印加するプリイレーズ処理を行うイレーズ制御回路とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
Fターム (4件)：
5B025AA02 ,  5B025AC01 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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