半導体素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074179
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274560
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【目的】信頼性の高い3族窒化物半導体を用いた半導体素子を提供すると同時に、前記半導体素子を再現性よく提供する。【構成】基板1上に3族窒化物半導体からなる能動素子領域を備えた半導体素子であって、該基板1と該能動素子領域との間に、多層構造を有するバッファ層2を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に3族窒化物半導体からなる能動素子領域を備えた半導体素子であって、該基板と該能動素子領域との間に、多層構造を有するバッファ層を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (6件)

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審査官引用 (6件)

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