特許
J-GLOBAL ID:200903083468495161
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-234198
公開番号(公開出願番号):特開2001-060581
出願日: 1999年08月20日
公開日(公表日): 2001年03月06日
要約:
【要約】【課題】 より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、プラズマ密度を均一にすることが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極21,5を配置し、給電面である第1の電極21の第2の電極5に対向する面と反対側の面から微小離隔して給電板52を配置し、給電板52における、第1の電極21の給電面の中心に対応する位置から径方向にずれた位置に給電棒51を接続し、給電板52を回転させて、給電棒51の給電位置を前記第1の電極の給電面上で回転させる。このようにして給電して、第1および第2の電極間21,5に高周波電界を形成することによりプラズマを形成し、基板Wにプラズマ処理を施す。
請求項(抜粋):
被処理基板が収容されるチャンバーと、チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極に整合器を介して高周波電力を供給する高周波電源と、前記第1の電極の前記第2の電極に対向する面と反対側の面に前記高周波電源から高周波電力を給電する給電部材と、前記給電部材の給電位置を移動させる移動機構と、前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記高周波電力により処理ガスをプラズマ化してプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, C23C 16/52
, H05H 1/46
, B01J 19/08
FI (4件):
H01L 21/302 C
, C23C 16/52
, H05H 1/46 M
, B01J 19/08 H
Fターム (44件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC02
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA03
, 4G075CA47
, 4G075EA05
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075FB02
, 4G075FB04
, 4G075FC15
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA04
, 4K030FA03
, 4K030KA14
, 4K030KA30
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BB30
, 5F004BC08
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA03
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
引用特許:
審査官引用 (5件)
-
表面処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-156968
出願人:アネルバ株式会社
-
プラズマ発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-066177
出願人:シャープ株式会社
-
マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-119516
出願人:株式会社日立製作所
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