電子デバイス製造装置及び電子デバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305359
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032171
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】励起高周波の周波数がRF帯からVHF帯の広範囲にわたる場合に、大面積成膜或いは大面積エッチングを可能とする高周波プラズマCVD装置を提供する。【解決手段】反応室6内に上側よりアノード電極2、上側カソード電極1a及び下側カソード電極1bを配設し、アノード電極2の電位はグランドレベルである。底壁60の下方に高周波電力発生源4が配設されている。高周波電力発生源4と下側カソード電極1bとの間にはコンデンサからなる直流遮断用容量素子7(CB)を直列接続する。そして、上側カソード電極1aと下側カソード電極1bとの間にコンデンサからなるインピーダンス調整用容量10(CC)を直列接続する。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、該カソード電極と該高周波電力発生手段との間において、該カソード電極及び該カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、該浮遊容量と直列接続となるように挿入した電子デバイス製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-074030 出願人：キヤノン株式会社
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-341784 出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
特開平1-233730

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