特許
J-GLOBAL ID：200903048762510853
半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168621
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016863
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 表面に突起状物を有する半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルムを提供する。【解決手段】 半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該半導体ウエハの表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも1種の高さ(A)10〜100μmの突起状物を有し、該粘着フィルムがショアーD型硬度40以下、厚み(B)250〜500μm(但し、4A≦B)である基材フィルムの片表面に、厚み(C)30〜100μm(但し、0.6A≦C)の紫外線照射により粘着力が低下する粘着剤層が形成され、裏面研削終了後、該粘着フィルムを剥離する前に紫外線を照射する半導体ウエハの裏面研削方法、及び該方法に用いる粘着フィルム。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの回路形成表面に粘着フィルムを貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該半導体ウエハの回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも1種の高さ(A)10〜100μmの突起状物を有し、該粘着フィルムがショア-D型硬度40以下、厚み(B)250〜500μm(但し、4A≦B)である基材フィルムの片表面に、厚み(C)30〜100μm(但し、0.6A≦C)の紫外線照射により硬化して粘着力が低下する粘着剤層が形成され、裏面研削終了後、該粘着フィルムを剥離する前に紫外線を照射することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, C09J 7/02
H01L 21/304 321 B
, C09J 7/02 B
